G3R30MT12J SiC MOSFET GeneSiC (Navitas)

GeneSiC (Navitas)

G3R30MT12J

Ток: 55 А
Напряжение: 1200 В
Под заказ.

Под заказ.

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: GeneSiC (Navitas)

Схема модуля: одиночный N-канальный SiC MOSFET с выводом Кельвин-истока

Напряжение (В): 1200

Ток (А): 55 (Tc=100 °C)

Корпус: TO-263-7 (D2PAK-7L), поверхностный монтаж

Технология чипа: SiC MOSFET G3R (3-е поколение)

Rth(j-c), К/Вт: 0,53

Масса, г: 1,45

Страна: США

RDS(on) тип., мОм: 30 (VGS=20 В, ID=50 A, Tj=25 °C)

Дискретный карбид-кремниевый MOSFET GeneSiC (Navitas) на 1200 В / 30 мОм в корпусе для поверхностного монтажа TO-263-7 с выводом Кельвин-истока, что снижает потери переключения
Технология G3R, низкое сопротивление канала и высокая допустимая температура кристалла