MCDA-HBS12-I600N-A SiC MOSFET модуль Протон-Электротекс

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 600 А

Исполнение: Транспортное

Статус прибора: Скоро в продаже

Технология кристалла: Trench-FS

Корпус (ширина/длина), мм: MCDA (62/152)

Размеры (LxB), мм: 152 × 62

Производитель: Протон-Электротекс

Страна производства: Россия

• SiC MOSFET и SiC SBD
Низкая индуктивность
Схема полумост
Топология переключающих ячеек
Низкое значение RDS(on)
Оптимизированные цепи управления
AlN Подложки
AlSiC Основание
Стандартный корпус
Низкие статические и динамические потери
Быстрая и чистая коммутация
Низкое значение Rth(j-c)
Высокая стойкость к термоциклам

Инверторы ВИЭ
DC/DC преобразователи, инверторы
Приводы электродвигателей
Электротранспорт