G3R20MT17N SiC модуль GeneSiC (Navitas)

GeneSiC (Navitas)

G3R20MT17N

Ток: 92 А
Напряжение: 1700 В

Под заказ.

Скачать документацию G3R20MT17N

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: GeneSiC (Navitas)

Схема модуля: одиночный N-канальный SiC MOSFET с выводом Кельвин-истока

Напряжение (В): 1700

Ток (А): 92 (Tc=25 °C)

Ток (А): 65 (Tc=100 °C)

Корпус: SOT-227 (ISOTOP), изолированное основание

Технология чипа: SiC MOSFET G3R (3-е поколение)

Rth(j-c), К/Вт: 0,25 (тип.)

Rth(j-c), К/Вт: 0,32 (макс.)

Масса, г: 28

Страна: США

Eon+Eoff, мДж: 5,4 при Tj=25 °C (Eon 3,15 + Eoff 2,25

Eon+Eoff, мДж: VDD=1200 В, ID=75 A, RG=6 Ом, VGS=-5/+15 В)

RDS(on) тип., мОм: 20 (VGS=15 В, ID=75 A, Tj=25 °C)

Мощный карбид-кремниевый MOSFET GeneSiC (Navitas) на 1700 В / 20 мОм в изолированном корпусе SOT-227 с винтовыми выводами и отдельным выводом Кельвин-истока
Технология G3R обеспечивает низкие потери переключения и стабильность параметров при высоких температурах (RDS(on) 41 мОм при 175 °C), управление -5/+15 В