CAS120M12BM2 SiC модуль Wolfspeed

Производитель: Wolfspeed

Схема модуля: 2-в-1 (полумост), SiC MOSFET + SiC диоды Шоттки

Напряжение (В): 1200

Ток (А): 120 (номинал)

Ток (А): 200 при Tc=25 °C, 144 при Tc=90 °C

Корпус: 62 мм (промышленный стандарт)

Технология чипа: SiC MOSFET + SiC Schottky (Wolfspeed/Cree)

Размеры (LxBxH), мм: 106 x 62 (стандартный корпус 62 мм

Размеры (LxBxH), мм: высота — по чертежу)

Rth(j-c), К/Вт: 0,125–0,135 (MOSFET)

Rth(j-c), К/Вт: 0,108–0,115 (диод)

Масса, г: 290

Напряжение изоляции, В: 5000 AC, 50 Гц, 1 мин

Страна: США

Eon+Eoff, мДж: 2,04 при Tvj=150 °C (Eon 1,19 + Eoff 0,85)

Eon+Eoff, мДж: 2,08 при 125 °C (1,24 + 0,84)

Eon+Eoff, мДж: VDS=600 В, ID=120 A, VGS=-5/+20 В, RG=2,5 Ом

RDS(on) тип., мОм: 13,0 (VGS=20 В, ID=120 A, Tvj=25 °C)