Контактные данные
Данный запрос не является заказом и ни к чему вас не обязывает!
Производитель: HIITIO
Схема модуля: 2-в-1 (полумост), SiC MOSFET + SiC диоды
Напряжение (В): 1200
Ток (А): 540
Корпус: 62 мм (полумостовой)
Технология чипа: SiC MOSFET
Страна: Китай
- Полумостовой карбид-кремниевый силовой модуль HIITIO на 1200 В / 540 А в стандартном корпусе 62 мм с SiC MOSFET и встроенными SiC-диодами
- Предназначен для высокочастотных преобразователей большой мощности как замена кремниевых IGBT-модулей 62 мм
- Высокочастотные инверторы и DC/DC-преобразователи
- Зарядные станции электромобилей
- Солнечные и накопительные системы
- Индукционный нагрев
Рекомендуем
//
