G3R160MT17J-TR SiC MOSFET GeneSiC (Navitas)

GeneSiC (Navitas)

G3R160MT17J-TR

Ток: 18 А
Напряжение: 1700 В

Под заказ.

Скачать документацию G3R160MT17J-TR

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: GeneSiC (Navitas)

Схема модуля: одиночный N-канальный SiC MOSFET с выводом Кельвин-истока

Напряжение (В): 1700

Ток (А): 18 (Tc=25 °C)

Корпус: TO-263-7 (D2PAK-7L), поверхностный монтаж, лента (-TR)

Технология чипа: SiC MOSFET G3R (3-е поколение)

Страна: США

RDS(on) тип., мОм: 160 (по обозначению

RDS(on) тип., мОм: макс. 224 при ID=10 A, VGS=15 В)

Дискретный карбид-кремниевый MOSFET GeneSiC (ныне Navitas) на 1700 В с сопротивлением канала 160 мОм в корпусе для поверхностного монтажа TO-263-7 с отдельным выводом Кельвин-истока
Технология G3R рассчитана на управление +15 В, мощность рассеяния 145 Вт
Суффикс -TR — поставка в ленте на катушке