MCDA-HBI12-I500N-C SiC MOSFET модуль Протон-Электротекс

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 500 А

Исполнение: Промышленное

Статус прибора: Скоро в продаже

Технология кристалла: Trench-FS

Корпус (ширина/длина), мм: MCDA (62/152)

Размеры (LxB), мм: 152 × 62

Производитель: Протон-Электротекс

Страна производства: Россия

SiC MOSFET модуль в стандартном корпусе
Низкая индуктивность (​<10 нГн)
Схема полумост
Топология переключающих ячеек
Низкое значение RDS(on)
Оптимизированные цепи управления
AlN Подложки
Медное основание
Стандартный корпус
Низкие статические и динамические потери
Быстрая и чистая коммутация
Низкое значение Rth(j-c)
Высокая стойкость к термоциклам

Инверторы ВИЭ
DC/DC преобразователи, инверторы
Приводы электродвигателей
Электротранспорт