MCAR-HB12-I120-PB SiC MOSFET модуль Протон-Электротекс

Протон-Электротекс
MCAR-HB12-I120-PB
Ток: 120 А
Напряжение: 1200 В
Под заказ.

Характеристики
Описание
Применение

Характеристики

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 120 А

Исполнение: Автомобильное

Статус прибора: Скоро в продаже

Технология кристалла: Trench-FS

Корпус (ширина/длина), мм: MCAR (37/34)

Размеры (LxB), мм: 37 × 34

Производитель: Протон-Электротекс

Страна производства: Россия

Описание

SiC MOSFET модуль в литом корпусе
Автомобильная квалификация
Низкая индуктивность (​
Схема полумост
Si3N4 AMB Подложка
Изоляция 4000В
Удобство монтажа и параллельного включения
Низкое значение Rth(j-c), Rth(c-h)
Низкие статические и динамические потери
Высокая стойкость к термоциклам

Применение

Инверторы ВИЭ
DC/DC преобразователи, инверторы
Приводы электродвигателей
Электротранспорт
Рекомендуем