SKiiP23NAB12T4V1 IGBT модуль Semikron-Danfoss

Semikron-Danfoss

SKiiP23NAB12T4V1

Ток: 25 А
Напряжение: 1200 В

Под заказ.

Скачать документацию SKiiP23NAB12T4V1

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: Semikron-Danfoss

Схема модуля: CIB (выпрямитель + тормоз + инвертор)

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 25 А

Корпус: MiniSKiiP II 2

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Размеры (LxBxH), мм: 59x52x16

VCE(sat) тип., В: 1,85 (Ic=25 А, 25 °C)

Масса, г: 55

Напряжение изоляции, В: 2500 AC

Страна: Китай, Словакия, Германия

Eon+Eoff, мДж: 4,95 (2,65+2,3

Eon+Eoff, мДж: 600 В, 25 А, 150 °C)

Rth(j-s), К/Вт: 1,2 (паста 0,8 Вт/(м·К))

IGBT-модуль SKiiP 23NAB12T4V1-M00 серии MiniSKiiP производства Semikron-Danfoss: 1200 В, 25 А, схема — cib (выпрямитель + тормоз + инвертор), корпус MiniSKiiP II 2 (59x52x16 мм)
IGBT 4-го поколения (Trench 4), обратные диоды CAL с мягкой коммутацией, пружинные контакты для электрических соединений, сертификат UL (E63532)

Подобрать в комплект