CM150TX-24T#300G IGBT модуль Mitsubishi Electric

Производитель: Mitsubishi Electric

Схема модуля: 6-в-1 (трёхфазный мост)

Напряжение (В): 1200

Ток (А): 150 (Tc=119 °C)

Корпус: NX-type, плоское медное основание, выводы под пайку

Технология чипа: IGBT T-series (7-е поколение, CSTBT)

VCE(sat) тип., В: 1,55 (выводы) / 1,50 (кристалл), IC=150 A, VGE=15 В, Tvj=25 °C

Rth(j-c), К/Вт: 0,176 (IGBT, макс.)

Rth(j-c), К/Вт: 0,261 (FWD, макс.)

Масса, г: 270 (макс.)

Напряжение изоляции, В: 2500 (rms, 60 Гц, 1 мин)

Страна: Япония

Eon+Eoff, мДж: 30,2 при Tvj=150 °C (Eon 12,1 + Eoff 18,1

Eon+Eoff, мДж: VCC=600 В, IC=150 A, VGE=±15 В, RG=0 Ом)