8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

GD650HFX170P1S IGBT модуль STARPOWER

STARPOWER
GD650HFX170P1S
Уточнить цену
Ток: 650 A
Напряжение: 1700 В

В наличии на складе в Москве.

Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: Trench IGBT

Ток (А): 650 A

Напряжение (В): 1700 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 89х172х38 мм

Корпус: PrimePack2

Схема модуля: Half-Bridge

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект