Контактные данные
Данный запрос не является заказом и ни к чему вас не обязывает!
Производитель: Mitsubishi Electric
Схема модуля: 2-в-1 (полумост)
Напряжение (В): 1700
Ток (А): 1000
Корпус: изолированный двухключевой, PPS, разъёмы управления J.S.T. VHR
Технология чипа: IGBT NF-series (CSTBT)
VCE(sat) тип., В: 2,45 (выводы) / 2,2 (кристалл), IC=1000 A, VGE=15 В, Tj=25 °C
Rth(j-c), К/Вт: 0,014 (IGBT)
Rth(j-c), К/Вт: 0,023 (FWD)
Масса, г: 1400
Напряжение изоляции, В: 3500 AC, 1 мин
Страна: Япония