2SB1561 Биполярный транзистор малой мощности ROHM

ROHM
2SB1561
Ток: −2 А
Напряжение: −60 В

Под заказ.

Скачать документацию 2SB1561
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Производитель: ROHM

Схема модуля: одиночный биполярный транзистор PNP

Напряжение (В): −60 В (VCEO)

Ток (А): −2 А (IC)

Ток (А): −6 А импульсный

Корпус: SOT-89 (MPT3, SC-62), SMD

Технология чипа: кремниевый биполярный PNP-транзистор

VCE(sat) тип., В: −0,15 В (IC=−1 А, IB=−50 мА)

Страна: Япония

Особенности

  • Биполярный PNP-транзистор средней мощности ROHM в SMD-корпусе SOT-89 (MPT3): −60 В, −2 А (импульсно −6 А), рассеиваемая мощность до 2 Вт на керамической плате
  • Низкое напряжение насыщения (тип. −0,15 В при 1 А), коэффициент усиления hFE 120–270 (группа Q), граничная частота около 200 МГц
  • Комплементарная пара — NPN 2SD2391
  • Маркировка BL

Применение

  • Усилители низкой частоты
  • Ключи и выходные каскады малой мощности
  • В т.ч. в цепях управления и выходных каскадах плат драйверов
Подобрать в комплект