SKIIP2013GB172-4DL v3 IGBT модуль Semikron-Danfoss

Производитель: Semikron-Danfoss

Схема модуля: полумост (2-pack) со встроенным драйвером, датчиками тока и температуры

Напряжение (В): 1700 В

Ток (А): 2000 А (ICnom)

Ток (А): 1823 А при Ts=70 °C

Корпус: SKiiP 3, S43, на радиаторе P16 (воздушное охлаждение)

Технология чипа: Trench IGBT + диоды CAL HD

VCE(sat) тип., В: 1,9 В (1200 А, 25 °C)

VCE(sat) тип., В: 2,2 В при 125 °C

Rth(j-c), К/Вт: Rth(j-s) 0,015 (IGBT), 0,029 (диод)

Масса, г: 3100 г без радиатора (радиатор ~8 кг)

Напряжение изоляции, В: 5600 В DC (1 с, силовые выводы — радиатор)

Страна: Германия

Eon+Eoff, мДж: 780 мДж (900 В, 1200 А, 125 °C)