FT150R12KE3G_B4 IGBT модуль Infineon

Производитель: Infineon

Напряжение (В): 1200

Ток (А): 150 (Tc=80 °C)

Ток (А): 200 (Tc=25 °C)

Технология чипа: IGBT3 Trench/Fieldstop (серия KE3)

VCE(sat) тип., В: 1,70 (IC=150 A, VGE=15 В, Tvj=25 °C)

Rth(j-c), К/Вт: 0,18 (IGBT)

Rth(j-c), К/Вт: 0,34 (диод)

Масса, г: 300

Напряжение изоляции, В: 2500 (rms, 50 Гц, 1 мин)

Страна: Германия

Eon+Eoff, мДж: 32,0 при Tvj=125 °C (Eon 10,0 + Eoff 22,0

Eon+Eoff, мДж: VCE=600 В, IC=150 A, VGE=±15 В, RG=2,4 Ом)