IXGN400N30A3 IGBT модуль IXYS

Производитель: IXYS

Схема модуля: одиночный IGBT (два вывода эмиттера — силовой/Кельвин)

Напряжение (В): 300

Ток (А): 400 (Tc=25 °C)

Ток (А): 200 (Tc=110 °C)

Корпус: SOT-227B (miniBLOC), изоляция AlN

Технология чипа: IGBT GenX3 PT (Ultra-Low-Vsat)

VCE(sat) тип., В: 1,15 (IC=100 A, VGE=15 В)

VCE(sat) тип., В: 1,70 (IC=400 A), Tj=25 °C

Rth(j-c), К/Вт: 0,17

Масса, г: 30

Напряжение изоляции, В: 2500 AC (50/60 Гц, 1 мин)

Напряжение изоляции, В: 3000 (1 с)

Страна: США