BSM25GP120B2 IGBT модуль Infineon

Infineon
BSM25GP120B2
Ток: 25 А
Напряжение: 1200 В

Под заказ.

Скачать документацию BSM25GP120B2
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Производитель: Infineon

Схема модуля: PIM: трёхфазный выпрямитель + тормозной чоппер + трёхфазный инвертор, NTC

Напряжение (В): 1200

Ток (А): 25 (инвертор, Tc=80 °C)

Ток (А): 12,5 (тормоз)

Корпус: EconoPIM (корпус с выводами под пайку)

Технология чипа: IGBT NPT (серия DN2/2-е поколение)

VCE(sat) тип., В: 2,1 (IC=25 A, VGE=15 В, Tvj=25 °C)

Rth(j-c), К/Вт: 0,55 (IGBT инв., макс.)

Rth(j-c), К/Вт: 1,2 (диод инв., макс.)

Масса, г: 180

Напряжение изоляции, В: 2500 (rms, 50 Гц, 1 мин)

Страна: Германия

Eon+Eoff, мДж: 6,4 при Tvj=125 °C (Eon 3,2 + Eoff 3,2

Eon+Eoff, мДж: VCC=600 В, IC=25 A, VGE=±15 В, RG=27 Ом)

Особенности

  • Модуль PIM Infineon (eupec) на 1200 В / 25 А, объединяющий в одном корпусе трёхфазный диодный выпрямитель, тормозной IGBT-чоппер и трёхфазный IGBT-инвертор, а также NTC-термистор
  • Кристаллы NPT-IGBT, напряжение насыщения около 2,1 В; компактная силовая часть для преобразователя частоты малой мощности

Применение

  • Преобразователи частоты малой мощности (до ~11 кВт)
  • Сервоприводы
  • Приводы насосов и вентиляторов
Подобрать в комплект