SEMiX303GB12E4I50p IGBT модуль Semikron-Danfoss

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 300 А

Схема модуля: Полумост (2 ключа)

Корпус: SEMiX 3p shunt / EconoDUAL 3

Размеры (LxBxH), мм: 150 × 62 × 17

VCE(sat) тип., В: 1,8

Rth(j-c), К/Вт: 0,094

Напряжение изоляции, В: 4000

Housing: SEMiX 3p shunt

Topology: Half-Bridge

Net weight: 0.35 Kilogram

Current (A): 300 A

Voltage (V): 1200 V

Chip technology: IGBT 4 (Trench)

Dimensions (LxWxH): 150x62x17

Variant Short Description: Bare module without pre-applied TIM or lid

Производитель: Semikron-Danfoss

Страна: Германия

lwh: 150x62x17

Производитель	Артикул	U, В	I, А	Корпус, мм
Протон-Электротекс	MID2-HB12LA-300N	1200	300	152 × 62
Протон-Электротекс	MID2-HB12SM-300N	1200	300	152 × 62
MacMic	MMG300WB120B6TC	1200	300	152 × 62
Mitsubishi Electric	CM300DX-24T	1200	300	152 × 62
STARPOWER	GD300HFX120C6SA	1200	300	152 × 62
Yangjie (Sunco)	MG300HF12TLE3	1200	300	152 × 62
Fuji Electric	2MBI300U4N-120-50	1200	300	150 × 62

Аналоги подобраны по данным производителей: напряжение, ток, схема и размеры корпуса. Перед заменой в действующем оборудовании сверьте выводы по даташиту — наш инженер поможет бесплатно.

IGBT модуль SEMiX303GB12E4I50p производства Semikron-Danfoss (Германия). Напряжение 1200 В, ток 300 А, схема — полумост (2 ключа), корпус EconoDUAL 3 (150 × 62 × 17 мм).
Полный аналог: MID2-HB12LA-300N, MID2-HB12SM-300N (Протон-Электротекс, Россия) — совпадают напряжение, ток, схема и размеры корпуса.
The SEMiX303GB12E4I50p is a 1200 V IGBT module and comes as bare module without pre-applied thermal interface material or lid, ideal for custom assembly processes.
Страница SEMiX303GB12E4I50p на сайте производителя

IGBT модуль SEMiX303GB12E4I50p применяется в силовой электронике:
Основные сферы применения:
• частотные преобразователи и приводы электродвигателей;
• инверторы солнечных и ветровых электростанций;
• источники бесперебойного питания (ИБП);
• сварочное оборудование;
• индукционный нагрев;
• тяговые и транспортные преобразователи;