SKiiP38AC12T4V1 IGBT модуль Semikron-Danfos (Semikron)

Semikron-Danfos (Semikron)
SKiiP38AC12T4V1
Ток: 100 А
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Москве.

"
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Ток (А): 100 А

Напряжение (В): 1200 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 82x59x16 мм

Корпус: MiniSKiiP II 3

Схема модуля: Six Pack

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Технология прижимного контакта
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект