5SNA3600E170300 IGBT модуль Hitachi Energy

Hitachi Energy

5SNA3600E170300

Ток: 3600 А
Напряжение: 1700 В

Под заказ.

Скачать документацию 5SNA3600E170300

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: Hitachi Energy

Схема модуля: одиночный ключ (IGBT + обратный диод)

Напряжение (В): 1700

Ток (А): 3600 (Tc=70 °C)

Корпус: HiPak (190 x 140 мм)

Технология чипа: IGBT SPT+ (Soft Punch Through)

Размеры (LxBxH), мм: 190 x 140 x 38

VCE(sat) тип., В: 2,5 (IC=3600 A, VGE=15 В, Tvj=25 °C)

Rth(j-c), К/Вт: 0,007 (IGBT)

Rth(j-c), К/Вт: 0,012 (диод)

Масса, г: 1210

Напряжение изоляции, В: 4000 (50 Гц, 1 мин)

Страна: Швейцария

Eon+Eoff, мДж: 2700 при Tvj=125 °C (Eon 1100 + Eoff 1600)

Eon+Eoff, мДж: 2890 при Tvj=150 °C (1200 + 1690)

Eon+Eoff, мДж: VCC=900 В, IC=3600 A, RG=0,6 Ом, VGE=±15 В

Мощный одноключевой IGBT-модуль HiPak на 1700 В / 3600 А производства Hitachi Energy (бывшее подразделение полупроводников ABB, Ленцбург)
Кристаллы SPT+ с низкими потерями и высокой стойкостью к КЗ, напряжение насыщения около 2,5 В при номинальном токе, рабочая температура кристалла до 150 °C
Корпус 190×140×38 мм на основании AlSiC с изоляцией 4 кВ, рассчитан на высокую циклическую стойкость

Подобрать в комплект