SKiiP35NAB12T4V1 IGBT модуль Semikron-Danfoss

Semikron-Danfoss
SKiiP35NAB12T4V1
Ток: 50 А
Напряжение: 1200 В

Под заказ.

Скачать документацию SKiiP35NAB12T4V1
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Производитель: Semikron-Danfoss

Схема модуля: CIB (выпрямитель + тормоз + инвертор)

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 50 А

Корпус: MiniSKiiP II 3

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Размеры (LxBxH), мм: 82x59x16

VCE(sat) тип., В: 1,85 (Ic=50 А, 25 °C)

Масса, г: 82

Напряжение изоляции, В: 2500 AC

Страна: Китай, Словакия

Eon+Eoff, мДж: 10,7 (6+4,7

Eon+Eoff, мДж: 600 В, 50 А, 150 °C)

Rth(j-s), К/Вт: 0,71 (паста 0,8 Вт/(м·К))

Особенности

  • IGBT-модуль SKiiP 35NAB12T4V1-M00 серии MiniSKiiP производства Semikron-Danfoss: 1200 В, 50 А, схема — cib (выпрямитель + тормоз + инвертор), корпус MiniSKiiP II 3 (82x59x16 мм)
  • IGBT 4-го поколения (Trench 4), обратные диоды CAL с мягкой коммутацией, пружинные контакты для электрических соединений, сертификат UL (E63532)

Применение

  • Инверторы мощностью до 26 кВА
  • Приводы двигателей мощностью до 15 кВт
Подобрать в комплект