Skiip13ac12t4v1 IGBT модуль Semikron-Danfoss

Semikron-Danfoss

Skiip13ac12t4v1

Ток: 25 А
Напряжение: 1200 В

Под заказ.

Скачать документацию Skiip13ac12t4v1

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: Semikron-Danfoss

Схема модуля: Трёхфазный мост (Sixpack)

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 25 А

Корпус: MiniSKiiP II 1

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Размеры (LxBxH), мм: 42x40x16

VCE(sat) тип., В: 1,85 (Ic=25 А, 25 °C)

Масса, г: 30

Напряжение изоляции, В: 2500 AC

Страна: Китай, Словакия

Eon+Eoff, мДж: 6,1 (3,7+2,4

Eon+Eoff, мДж: 600 В, 25 А, 150 °C)

Rth(j-s), К/Вт: 1,0 (паста 0,8 Вт/(м·К))

IGBT-модуль SKiiP 13AC12T4V1-M00 серии MiniSKiiP производства Semikron-Danfoss: 1200 В, 25 А, схема — трёхфазный мост (sixpack), корпус MiniSKiiP II 1 (42x40x16 мм)
IGBT 4-го поколения (Trench 4), обратные диоды CAL с мягкой коммутацией, пружинные контакты для электрических соединений, сертификат UL (E63532)

Подобрать в комплект