8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

SEMiX453GB12E4s IGBT модуль Semikron-Danfos (Semikron)

Semikron-Danfos (Semikron)
SEMiX453GB12E4s
Уточнить цену
Ток: 450 A
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Москве.

"
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Ток (А): 450 A

Напряжение (В): 1200 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 63,5х150х17 мм

Корпус: SEMiX3s

Схема модуля: Half-Bridge

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект