8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

SEMiX553GB128D IGBT модуль Semikron-Danfos (Semikron)

Semikron-Danfos (Semikron)
SEMiX553GB128D
3367,00
р.
Уточнить цену
Ток: 550 A
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Новосибирске.

Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: SPT IGBT

Ток (А): 550 A

Напряжение (В): 1200 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 61,6х149х17 мм

Корпус: SEMiX 3

Схема модуля: Half Bridge

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 150 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект