SKiiP25AC12T4V25 IGBT модуль Semikron-Danfoss

Semikron-Danfoss

SKiiP25AC12T4V25

Ток: 50 А
Напряжение: 1200 В

Под заказ.

Скачать документацию SKiiP25AC12T4V25

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: Semikron-Danfoss

Схема модуля: Трёхфазный мост (Sixpack)

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 50 А

Корпус: MiniSKiiP II 2

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Размеры (LxBxH), мм: 59x52x16

VCE(sat) тип., В: 1,85 (Ic=50 А, 25 °C)

Масса, г: 55

Напряжение изоляции, В: 2500 AC

Страна: Китай, Словакия

Eon+Eoff, мДж: 6,5 (3,4+3,1

Eon+Eoff, мДж: 800 В, 22 А, 150 °C)

Rth(j-s), К/Вт: 0,71 (паста 0,8 Вт/(м·К))

IGBT-модуль SKiiP 25AC12T4V25-M20 серии MiniSKiiP производства Semikron-Danfoss: 1200 В, 50 А, схема — трёхфазный мост (sixpack), корпус MiniSKiiP II 2 (59x52x16 мм)
IGBT 4-го поколения (Trench 4), обратные диоды CAL с мягкой коммутацией, пружинные контакты для электрических соединений, сертификат UL (E63532)

Подобрать в комплект