SEMiX603GB12E4p IGBT модуль Semikron-Danfoss

Semikron-Danfoss

SEMiX603GB12E4p

Ток: 600 А
Напряжение: 1200 В

Под заказ.

Скачать документацию SEMiX603GB12E4p

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: Semikron-Danfoss

Схема модуля: Полумост

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 600 А

Корпус: SEMiX 3p

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Размеры (LxBxH), мм: 150x62x17

VCE(sat) тип., В: 1,80 (Ic=600 А, 25 °C)

Rth(j-c), К/Вт: 0,04

Масса, г: 350

Напряжение изоляции, В: 4000 AC

Страна: Словакия

Eon+Eoff, мДж: 138 (58+80

Eon+Eoff, мДж: 600 В, 600 А, 150 °C)

IGBT-модуль SEMiX603GB12E4p серии SEMiX производства Semikron-Danfoss: полумост 1200 В / 600 А в корпусе SEMiX 3p (150x62x17 мм)
Чипы IGBT 4 (Trench) с положительным температурным коэффициентом VCE(sat), высокая стойкость к короткому замыканию, вспомогательные выводы press-fit, керамика с оптимизированным теплоотводом, сертификат UL (E63532)

Подобрать в комплект