SEMiX453GB12E4I33p IGBT модуль Semikron-Danfoss

Semikron-Danfoss (Semikron)
SEMiX453GB12E4I33p
Ток: 450 А
Напряжение: 1200 В
Под заказ.


Аналоги других производителей
ПроизводительАртикулU, ВI, АКорпус, мм
Протон-ЭлектротексMID2-HB12LA-450N1200450152 × 62
Протон-ЭлектротексMID2-HB12SG-450N1200450152 × 62
Huajing (CR Micro)CRGMF450T120DVDC31200450152 × 62,2
MacMicMMG450WB120B6TC1200450152 × 62

Все аналоги (9) →
Характеристики
Аналоги (9)
Описание
Применение

Характеристики

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 450 А

Схема модуля: Полумост (2 ключа)

Корпус: SEMiX 3p shunt / EconoDUAL 3

Размеры (LxBxH), мм: 150 × 62 × 17

VCE(sat) тип., В: 1,8

Rth(j-c), К/Вт: 0,066

Напряжение изоляции, В: 4000

Housing: SEMiX 3p shunt

Topology: Half-Bridge

Net weight: 0.35 Kilogram

Current (A): 450 A

Voltage (V): 1200 V

Chip technology: IGBT 4 (Trench)

Dimensions (LxWxH): 150x62x17

Variant Short Description: Bare module without pre-applied TIM or lid

Производитель: Semikron-Danfoss

Страна: Германия

lwh: 150x62x17

Аналоги (9)

ПроизводительАртикулU, ВI, АКорпус, мм
Протон-ЭлектротексMID2-HB12LA-450N1200450152 × 62
Протон-ЭлектротексMID2-HB12SG-450N1200450152 × 62
Huajing (CR Micro)CRGMF450T120DVDC31200450152 × 62,2
MacMicMMG450WB120B6TC1200450152 × 62
Mitsubishi ElectricCM450DX-24T1200450152 × 62
STARPOWERGD450HFX120C6HA1200450152 × 62
Yangjie (Sunco)MG450HF12MLE31200450152 × 62
STARPOWERGD450HFX120C6SA1200450152 × 62
Fuji Electric2MBI450U4N-120-501200450150 × 62

Аналоги подобраны по данным производителей: напряжение, ток, схема и размеры корпуса. Перед заменой в действующем оборудовании сверьте выводы по даташиту — наш инженер поможет бесплатно.

Описание

IGBT модуль SEMiX453GB12E4I33p производства Semikron-Danfoss (Германия). Напряжение 1200 В, ток 450 А, схема — полумост (2 ключа), корпус EconoDUAL 3 (150 × 62 × 17 мм).
Полный аналог: MID2-HB12LA-450N, MID2-HB12SG-450N (Протон-Электротекс, Россия) — совпадают напряжение, ток, схема и размеры корпуса.
The SEMiX453GB12E4I33p is a 1200 V IGBT module and comes as bare module without pre-applied thermal interface material or lid, ideal for custom assembly processes.
Страница SEMiX453GB12E4I33p на сайте производителя

Применение

IGBT модуль SEMiX453GB12E4I33p применяется в силовой электронике:
Основные сферы применения:
• частотные преобразователи и приводы электродвигателей;
• инверторы солнечных и ветровых электростанций;
• источники бесперебойного питания (ИБП);
• сварочное оборудование;
• индукционный нагрев;
• тяговые и транспортные преобразователи;
Подобрать в комплект