8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

2MBI1000VXB-170E-50-E IGBT модуль Fuji Electric

Fuji Electric
2MBI1000VXB-170E-50-E
35000,00
р.
Уточнить цену
Ток: 1000 A
Напряжение: 1700 В

В наличии на складе в Москве.

Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: V-IGBT (Trench)

Размеры (LLxBBxHH) мм: 89х250х38 мм

Корпус: 2-Pack

Схема модуля: Half-Bridge

Напряжение (В): 1700 В

Ток (А): 1000 A

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект