Контактные данные
Данный запрос не является заказом и ни к чему вас не обязывает!
SDG300T120UC2 IGBT модуль Sirectifier
Sirectifier
SDG300T120UC2
Технология чипа: Trench IGBT
Ток (А): 300 A
Напряжение (В): 1200 В
Размеры (LLxBBxHH) мм: 62х107х31 мм
Корпус: 2-Pack
Схема модуля: Half-Bridge
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
- Корпус с медным основанием
- Соответствие ROHS
- Приводы двигателей переменного тока
- Преобразователи высокой мощности и ИБП
- Индукционный нагрев и плавка металла
- Инверторы для сварки
- Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект
