8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

SEMiX453GB12E4p IGBT модуль Semikron-Danfos (Semikron)

Semikron-Danfos (Semikron)
SEMiX453GB12E4p
4664,00
р.
Уточнить цену
Ток: 450 А
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Новосибирске.

Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Ток (А): 450 А

Напряжение (В): 1200 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 62х150x17 мм

Корпус: SEMiX 3p

Схема модуля: Half Bridge

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект