Контактные данные
Данный запрос не является заказом и ни к чему вас не обязывает!
SEMiX453GB12E4p IGBT модуль Semikron-Danfoss (Semikron)
Semikron-Danfoss (Semikron)
SEMiX453GB12E4p
Ток: 450 А
Напряжение: 1200 В
В наличии на складе в Новосибирске.
Напряжение: 1200 В
В наличии на складе в Новосибирске.
Технология чипа: IGBT 4 (Trench)
Размеры (LLxBBxHH) мм: 62х150x17 мм
Корпус: SEMiX 3p
Схема модуля: Half Bridge
Напряжение (В): 1200 В
Ток (А): 450 А
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
- Корпус с медным основанием
- Соответствие ROHS
- Приводы двигателей переменного тока
- Преобразователи высокой мощности и ИБП
- Индукционный нагрев и плавка металла
- Инверторы для сварки
- Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект
//
