GD1200HFX170A3S IGBT модуль STARPOWER

Напряжение (В): 1700 В

Ток (А): 1200 А

Схема модуля: Полумост (2 ключа)

Корпус: A3

Размеры (LxBxH), мм: 140 × 130 × 38

VCE(sat) тип., В: 1,85

Rth(j-c), К/Вт: 0,0215

Eon+Eoff, мДж: 1436

Напряжение изоляции, В: 4000

Масса, г: 1500

Current: 1200A

Voltage: 1700V

Category: IGBT Module

Baseplate: AlSiC baseplate

Substrate: DBC technology

Part number: GD1200HFX170A3S

Chip technology: Trench FS IGBT, Low Loss

Circuit topology: Half Bridge

VCE(sat) @ 25°C: 1.85 V

Производитель: STARPOWER

Страна: Китай

lwh: 140x130x38

Weight: 1500g

Производитель	Артикул	U, В	I, А	Корпус, мм
Протон-Электротекс	MISM-DS17SM-1200N	1700	1200	140 × 130
Mitsubishi Electric	CM1200DC-34S1	1700	1200	140 × 130
Fuji Electric	2MBI1200VG-170E	1700	1200	140 × 130

Аналоги подобраны по данным производителей: напряжение, ток, схема и размеры корпуса. Перед заменой в действующем оборудовании сверьте выводы по даташиту — наш инженер поможет бесплатно.

IGBT модуль GD1200HFX170A3S производства STARPOWER (Китай). Напряжение 1700 В, ток 1200 А, схема — полумост (2 ключа), корпус A3 (140 × 130 × 38 мм).
Полный аналог: MISM-DS17SM-1200N (Протон-Электротекс, Россия) — совпадают напряжение, ток, схема и размеры корпуса.
Страница GD1200HFX170A3S на сайте производителя

IGBT модуль GD1200HFX170A3S применяется в силовой электронике:
Основные сферы применения:
• частотные преобразователи и приводы электродвигателей;
• инверторы солнечных и ветровых электростанций;
• источники бесперебойного питания (ИБП);
• сварочное оборудование;
• индукционный нагрев;
• тяговые и транспортные преобразователи;