8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

SKM50GB12T4 IGBT модуль Semikron-Danfos (Semikron)

Semikron-Danfos (Semikron)
SKM50GB12T4
1306,00
р.
Уточнить цену
Ток: 50 А
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Москве.

Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Ток (А): 50 А

Напряжение (В): 1200 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 34х94х 31 мм

Корпус: SEMITRANS 2

Схема модуля: Half Bridge

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект