FF150R12RT4 IGBT модуль Infineon

Производитель: Infineon

Схема модуля: 2-в-1 (полумост)

Напряжение (В): 1200

Ток (А): 150

Корпус: 34 мм (стандартный корпус 34 mm)

Технология чипа: IGBT4 Trench/Fieldstop + диод Emitter Controlled 4

Размеры (LxBxH), мм: 94 x 34 (стандартный корпус 34 мм

Размеры (LxBxH), мм: высота — по чертежу)

VCE(sat) тип., В: 1,75 (IC=150 A, VGE=15 В, Tvj=25 °C)

Rth(j-c), К/Вт: 0,19 (IGBT)

Rth(j-c), К/Вт: 0,31 (диод)

Масса, г: 160

Напряжение изоляции, В: 4000 (rms, 50 Гц, 1 мин)

Страна: Германия

Eon+Eoff, мДж: 27,0 при Tvj=125 °C (13,5 + 13,5)

Eon+Eoff, мДж: 30,5 при Tvj=150 °C (15,0 + 15,5)

Eon+Eoff, мДж: VCE=600 В, IC=150 A, VGE=±15 В, RG=1,1 Ом