GD150HFY120C1S IGBT модуль STARPOWER

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 150 А

Схема модуля: Полумост (2 ключа)

Корпус: C1 / 34 мм (PowerBLOCK 34 мм, SEMIPACK 2, Протон F)

Размеры (LxBxH), мм: 94 × 34 × 30

VCE(sat) тип., В: 1,7

Rth(j-c), К/Вт: 0,136

Eon+Eoff, мДж: 28,3

Напряжение изоляции, В: 4000

Масса, г: 150

Current: 150A

Voltage: 1200V

Category: IGBT Module

Baseplate: Isolated copper baseplate

Substrate: DBC technology

Part number: GD150HFY120C1S

Chip technology: Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

Circuit topology: Half Bridge

VCE(sat) @ 25°C: 1.7 V

Производитель: STARPOWER

Страна: Китай

lwh: 94x34x30

Weight: 150g

Производитель	Артикул	U, В	I, А	Корпус, мм
Протон-Электротекс	MIFA-HB12SM-150N	1200	150	94 × 34
MacMic	MMG150S120B6TC	1200	150	94 × 34
Mitsubishi Electric	CM150DY-24T	1200	150	94 × 34
Sirectifier	SGG145T120UC1	1200	150	94 × 34
Yangjie (Sunco)	MG150HF12FUC1L	1200	150	94 × 34
Fuji Electric	2MBI150U4A-120	1200	150	92 × 34

Аналоги подобраны по данным производителей: напряжение, ток, схема и размеры корпуса. Перед заменой в действующем оборудовании сверьте выводы по даташиту — наш инженер поможет бесплатно.

IGBT модуль GD150HFY120C1S производства STARPOWER (Китай). Напряжение 1200 В, ток 150 А, схема — полумост (2 ключа), корпус 34 мм (PowerBLOCK 34 мм, SEMIPACK 2, Протон F) (94 × 34 × 30 мм).
Полный аналог: MIFA-HB12SM-150N (Протон-Электротекс, Россия) — совпадают напряжение, ток, схема и размеры корпуса.
Страница GD150HFY120C1S на сайте производителя

IGBT модуль GD150HFY120C1S применяется в силовой электронике:
Основные сферы применения:
• частотные преобразователи и приводы электродвигателей;
• инверторы солнечных и ветровых электростанций;
• источники бесперебойного питания (ИБП);
• сварочное оборудование;
• индукционный нагрев;
• тяговые и транспортные преобразователи;