Контактные данные
Данный запрос не является заказом и ни к чему вас не обязывает!
Производитель: Mitsubishi Electric
Схема модуля: одиночный ключ (IGBT + обратный диод)
Напряжение (В): 1200
Ток (А): 1000 (Tc=25 °C)
Корпус: изолированный одноключевой, выводы M8/M4
Технология чипа: IGBT H-series (планарный, 3-е поколение)
Размеры (LxBxH), мм: 130 x 110 (высота — по чертежу даташита)
VCE(sat) тип., В: 2,7 (IC=1000 A, VGE=15 В, Tj=25 °C)
Rth(j-c), К/Вт: 0,022 (IGBT)
Rth(j-c), К/Вт: 0,050 (FWD)
Масса, г: 1600
Напряжение изоляции, В: 2500 AC, 1 мин
Страна: Япония