SGD100NF120UC1 IGBT модуль Sirectifier

Производитель: Sirectifier

Схема модуля: чоппер: IGBT сверху, диод снизу (понижающий, buck) — по обозначению SGD

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 100 А (Tc=100 °C)

Корпус: C1 (34 мм)

Технология чипа: IGBT Field Stop с планарным затвором (серия NF) + быстрый FRD

VCE(sat) тип., В: 2,3 В (100 А, 15 В)

Rth(j-c), К/Вт: 0,31 (IGBT)

Rth(j-c), К/Вт: 0,45 (диод)

Масса, г: 158 г

Страна: Китай

Eon+Eoff, мДж: 6,8 (4,5 + 2,3 при 600 В, 100 А, 125 °C)