GD150HFX170C1S IGBT модуль STARPOWER

Напряжение (В): 1700 В

Ток (А): 150 А

Схема модуля: Полумост (2 ключа)

Корпус: C1 / 34 мм (PowerBLOCK 34 мм, SEMIPACK 2, Протон F)

Размеры (LxBxH), мм: 94 × 34 × 30

VCE(sat) тип., В: 1,85

Rth(j-c), К/Вт: 0,184

Eon+Eoff, мДж: 105,8

Напряжение изоляции, В: 4000

Масса, г: 150

Hallmark: Flat Substrates

Chip Type: Trench-FS Gen1

Rated Current: 150A

Rated Voltage: 1700V

Circuit Structure: Half Bridge

VCE(sat) / RDS(on) typ: 1.85V

Производитель: STARPOWER

Страна: Китай

lwh: 94x34x30

Weight: 150g

Производитель	Артикул	U, В	I, А	Корпус, мм
Протон-Электротекс	MIFA-HB17SM-150N	1700	150	94 × 34
Mitsubishi Electric	CM150DY-34T	1700	150	94 × 34
Sirectifier	SGG145T170UC1	1700	150	94 × 34
Fuji Electric	2MBI150XAA170-50	1700	150	94 × 34

Аналоги подобраны по данным производителей: напряжение, ток, схема и размеры корпуса. Перед заменой в действующем оборудовании сверьте выводы по даташиту — наш инженер поможет бесплатно.

IGBT модуль GD150HFX170C1S производства STARPOWER (Китай). Напряжение 1700 В, ток 150 А, схема — полумост (2 ключа), корпус 34 мм (PowerBLOCK 34 мм, SEMIPACK 2, Протон F) (94 × 34 × 30 мм).
Полный аналог: MIFA-HB17SM-150N (Протон-Электротекс, Россия) — совпадают напряжение, ток, схема и размеры корпуса.
Страница GD150HFX170C1S на сайте производителя

IGBT модуль GD150HFX170C1S применяется в силовой электронике:
Основные сферы применения:
• частотные преобразователи и приводы электродвигателей;
• инверторы солнечных и ветровых электростанций;
• источники бесперебойного питания (ИБП);
• сварочное оборудование;
• индукционный нагрев;
• тяговые и транспортные преобразователи;