8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

SK25GD126ET IGBT модуль Semikron-Danfos (Semikron)

Semikron-Danfos (Semikron)
SK25GD126ET
1833,00
р.
Уточнить цену
Ток: 25 А
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Новосибирске.

Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: IGBT 3 (Trench)

Ток (А): 25 А

Напряжение (В): 1200 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 31х55х12 мм

Корпус: SEMITOP 3

Схема модуля: Six Pack

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 150 °C
  • Без базовый корпус
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • инверторы напряжений для солнечных панелей
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект