SGD300T120UC2 IGBT модуль Sirectifier

Sirectifier
SGD300T120UC2
Ток: 300 А
Напряжение: 1200 В
Под заказ.

Под заказ.
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Производитель: Sirectifier

Схема модуля: чоппер IGBT + диод (SGD)

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 300 А (по обозначению)

Корпус: C2 (62 мм, по обозначению)

Технология чипа: IGBT серии T (Trench)

Страна: Китай

Особенности

  • IGBT-модуль Sirectifier серии T на 1200 В / 300 А по схеме чоппера (IGBT и обратный диод) в корпусе C2 (62 мм) — по обозначению

Применение

  • Сварочные инверторы
  • Индукционный нагрев
  • Импульсные преобразователи и чопперы торможения
Подобрать в комплект