SDG100NF120UC1 IGBT модуль Sirectifier

Sirectifier

SDG100NF120UC1

Ток: 100 А
Напряжение: 1200 В

Под заказ.

Скачать документацию SDG100NF120UC1

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: Sirectifier

Схема модуля: чоппер: диод сверху, IGBT снизу (повышающий, boost) — по обозначению SDG

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 100 А (Tc=100 °C)

Корпус: C1 (34 мм)

Технология чипа: IGBT Field Stop с планарным затвором (серия NF) + быстрый FRD

VCE(sat) тип., В: 2,3 В (100 А, 15 В)

Rth(j-c), К/Вт: 0,31 (IGBT)

Rth(j-c), К/Вт: 0,45 (диод)

Масса, г: 158 г

Страна: Китай

Eon+Eoff, мДж: 6,8 (4,5 + 2,3 при 600 В, 100 А, 125 °C)

IGBT-модуль Sirectifier серии NF в корпусе C1 (34 мм) по схеме чоппера: один IGBT 1200 В / 100 А и быстровосстанавливающийся диод
Кристаллы Field Stop с планарным затвором дают малые коммутационные потери, короткий «хвост» тока и положительный температурный коэффициент VCE(sat) (тип
2,3 В), что упрощает параллельное включение
Энергии переключения Eon 4,5 мДж, Eoff 2,3 мДж

Подобрать в комплект