SEMiX603GB12E4I25p IGBT модуль Semikron-Danfoss

Semikron-Danfoss (Semikron)
SEMiX603GB12E4I25p
Ток: 600 А
Напряжение: 1200 В
Под заказ.


Аналоги других производителей
ПроизводительАртикулU, ВI, АКорпус, мм
Протон-ЭлектротексMID2-HB12LA-600N1200600152 × 62
Протон-ЭлектротексMID2-HB12SG-600N1200600152 × 62
Протон-ЭлектротексMID2-HB12SM-600N1200600152 × 62
Huajing (CR Micro)CRGMF600T120DVDC31200600152 × 62,2

Все аналоги (11) →
Характеристики
Аналоги (11)
Описание
Применение

Характеристики

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 600 А

Схема модуля: Полумост (2 ключа)

Корпус: SEMiX 3p shunt / EconoDUAL 3

Размеры (LxBxH), мм: 150 × 62 × 17

VCE(sat) тип., В: 1,8

Rth(j-c), К/Вт: 0,037

Напряжение изоляции, В: 4000

Housing: SEMiX 3p shunt

Topology: Half-Bridge

Net weight: 0.35 Kilogram

Current (A): 600 A

Voltage (V): 1200 V

Chip technology: IGBT 4 (Trench)

Dimensions (LxWxH): 150x62x17

Variant Short Description: Bare module without pre-applied TIM or lid

Производитель: Semikron-Danfoss

Страна: Германия

lwh: 150x62x17

Аналоги (11)

ПроизводительАртикулU, ВI, АКорпус, мм
Протон-ЭлектротексMID2-HB12LA-600N1200600152 × 62
Протон-ЭлектротексMID2-HB12SG-600N1200600152 × 62
Протон-ЭлектротексMID2-HB12SM-600N1200600152 × 62
Huajing (CR Micro)CRGMF600T120DVDC31200600152 × 62,2
MacMicMMG600WB120B6T61200600152 × 62
Mitsubishi ElectricCM600DX-24T1200600152 × 62
SirectifierSGG600T120UC51200600152 × 62
STARPOWERGD600HFX120C6Q1200600152 × 62
Yangjie (Sunco)MG600HF12MLE31200600152 × 62
STARPOWERGD600HFX120C6HA1200600152 × 62
Fuji Electric2MBI600VX-120-501200600150 × 62

Аналоги подобраны по данным производителей: напряжение, ток, схема и размеры корпуса. Перед заменой в действующем оборудовании сверьте выводы по даташиту — наш инженер поможет бесплатно.

Описание

IGBT модуль SEMiX603GB12E4I25p производства Semikron-Danfoss (Германия). Напряжение 1200 В, ток 600 А, схема — полумост (2 ключа), корпус EconoDUAL 3 (150 × 62 × 17 мм).
Полный аналог: MID2-HB12LA-600N, MID2-HB12SG-600N, MID2-HB12SM-600N (Протон-Электротекс, Россия) — совпадают напряжение, ток, схема и размеры корпуса.
The SEMiX603GB12E4I25p is a 1200 V IGBT module and comes as bare module without pre-applied thermal interface material or lid, ideal for custom assembly processes.
Страница SEMiX603GB12E4I25p на сайте производителя

Применение

IGBT модуль SEMiX603GB12E4I25p применяется в силовой электронике:
Основные сферы применения:
• частотные преобразователи и приводы электродвигателей;
• инверторы солнечных и ветровых электростанций;
• источники бесперебойного питания (ИБП);
• сварочное оборудование;
• индукционный нагрев;
• тяговые и транспортные преобразователи;
Подобрать в комплект