8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

SEMiX603GB17E4p IGBT модуль Semikron-Danfos (Semikron)

Semikron-Danfos (Semikron)
SEMiX603GB17E4p
Уточнить цену
Ток: 600 A
Напряжение: 1700 В

В наличии на складе в Москве.

"
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Ток (А): 600 A

Напряжение (В): 1700 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 62,5х152х17мм

Корпус: SEMiX 3p

Схема модуля: Half-Bridge

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект