8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

SGG450T170UC5 IGBT модуль Sirectifier

Sirectifier
SGG450T170UC5
Уточнить цену
Ток: 450 A
Напряжение: 1700 В

В наличии на складе в Москве.

"
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: Trench IGBT

Ток (А): 450 A

Напряжение (В): 1700 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 62,5х152х20,5 мм

Корпус: EconoDual

Схема модуля: Half-Bridge

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект