8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

BSM150GB120DN2 IGBT модуль Infineon

Infineon
BSM150GB120DN2
797,00
р.
Уточнить цену
Ток: 150 A
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Новосибирске.

Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: Trench IGBT

Ток (А): 150 A

Напряжение (В): 1200 В

Размеры (LLxBBxHH) мм: 61,4х106,4х30 мм

Корпус: 2-Pack

Схема модуля: Half Bridge

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект