Контактные данные
Данный запрос не является заказом и ни к чему вас не обязывает!
BSM150GB120DN2 IGBT модуль Infineon
Infineon
BSM150GB120DN2
Технология чипа: Trench IGBT
Размеры (LLxBBxHH) мм: 61,4х106,4х30 мм
Корпус: 2-Pack
Схема модуля: Half Bridge
Напряжение (В): 1200 В
Ток (А): 150 A
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
- Корпус с медным основанием
- Соответствие ROHS
- Приводы двигателей переменного тока
- Преобразователи высокой мощности и ИБП
- Индукционный нагрев и плавка металла
- Инверторы для сварки
- Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект
//
