IXFK150N30P3 MOSFET IXYS

IXYS

IXFK150N30P3

Ток: 150 А
Напряжение: 300 В

Под заказ.

Скачать документацию IXFK150N30P3

Характеристики

Особенности

Применение

Характеристики

Производитель: IXYS

Схема модуля: одиночный N-канальный MOSFET с быстрым встроенным диодом

Напряжение (В): 300

Ток (А): 150 (Tc=25 °C)

Корпус: TO-264

Технология чипа: Polar3 HiPerFET

Rth(j-c), К/Вт: 0,096

Масса, г: 10

Страна: США

RDS(on) тип., мОм: ≤19 (макс., VGS=10 В, ID=75 A)

Мощный N-канальный MOSFET IXYS (Littelfuse) серии Polar3 HiPerFET на 300 В / 150 А в корпусе TO-264
Сопротивление канала не более 19 мОм, быстрый встроенный диод (trr 250 нс), лавинная стойкость, заряд затвора около 197 нКл, рассеиваемая мощность до 1300 Вт

Подобрать в комплект