8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

SEMiX303GB12E4p IGBT модуль Semikron-Danfoss (Semikron)

Semikron-Danfoss (Semikron)
SEMiX303GB12E4p
6590,00
р.
Уточнить цену
Ток: 300 A
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Москве.

Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: IGBT 4 (Trench)

Размеры (LLxBBxHH) мм: 62,5х152х17мм

Корпус: SEMiX 3p

Схема модуля: Half-Bridge

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 300 A

Особенности

  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Повышенная рабочая температура Tjop = 175 °C
  • Корпус с медным основанием
  • Соответствие ROHS

Применение

  • Приводы двигателей переменного тока
  • Преобразователи высокой мощности и ИБП
  • Индукционный нагрев и плавка металла
  • Инверторы для сварки
  • Системы передачи и распределения электроэнергии
Подобрать в комплект