Контактные данные
Данный запрос не является заказом и ни к чему вас не обязывает!
Производитель: Mitsubishi Electric
Схема модуля: 2-в-1 (полумост)
Напряжение (В): 1200
Ток (А): 600
Корпус: изолированный двухключевой, PPS
Технология чипа: IGBT NF-series (CSTBT)
VCE(sat) тип., В: 1,95 (IC=600 A, VGE=15 В, Tj=25 °C)
Rth(j-c), К/Вт: 0,06 (IGBT)
Rth(j-c), К/Вт: 0,11 (FWD)
Масса, г: 1200
Напряжение изоляции, В: 2500 AC (rms), 1 мин
Страна: Япония