8-800-555-33-61
zapros@igbt.ru
Назад

S3PDB200N12 Диодный модуль Sirectifier

Sirectifier
S3PDB200N12
Уточнить цену
Ток: 200 А
Напряжение: 1200 В

В наличии на складе в Москве.

"
Характеристики
Особенности
Применение

Характеристики

Технология чипа: Rectifier Diode

Напряжение (В): 1200 В

Ток (А): 200 А

Особенности

  • Теплопередача через керамически изолированную подложку из оксида алюминия без жесткой формовки
  • Жесткие выводы для большей надежности
  • Трехфазная мостовая схема
  • UL - сертификация, файл 360040

Применение

  • Преобразователи для двигателей постоянного тока
  • Регуляторы тока
  • Индукционный нагрев
  • Источники бесперебойного питания
  • Электросварка
Подобрать в комплект