8-800-555-33-61
Корзина (0)
Ваша корзина пуста!

Features SEMiX453GD17E4c

  • With Silicon Carbide (SiC) Schottky diodes
  • Homogeneous Si
  • Trench = Trenchgate technology
  • VCE(sat) with positive temperature coefficient
  • Press-fit pins as auxiliary contacts
  • Thermally optimized ceramic
  • UL recognized file no. E63532

Target Applications SEMiX453GD17E4c

  • AC inverter drives
  • UPS
  • Renewable energy systems
Технические характеристики
Ток, А
6
Напряжение, В
1200
Длина, мм
150
Ширина, мм
62
Описание
Производитель
Semikron
Категория товаров
SiC Модули
Линейка производителя
SEMiX
Технология
SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
Корпус
SEMiX 3p
SIC type
Hybrid Silicon Carbide Power Modules
Switches
Half Bridge
Страна производства
Slovakia
Артикул
27895300
Статус
Новый, запущен в производство
Рекомендуемые товары
IGBT Модули, Semikron